[发明专利]LED芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201310068439.3 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103985804A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王瑞庆;吴裕朝;刘艳;吴冠伟 | 申请（专利权）人： | 东莞市正光光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京格罗巴尔知识产权代理事务所(普通合伙) 11406 | 代理人： | 方志炜 |
| 地址： | 广东省东莞市虎门*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制造方法，包括：依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和反射层；至少一个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离。其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布，提高了发光均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；至少一个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市正光光电科技有限公司，未经东莞市正光光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310068439.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防止漏焊的气动检知装置
- 下一篇：一种电梯对重框焊接装置
