[发明专利]LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；

发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；

第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；

反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；

至少一个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；

多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；

第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；

第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及

隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，

其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极孔在所述第一导电型半导体层的正面上均匀分布。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述对称图形为对称多边形、弧形或者圆形。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，

所述第一电极包括：

填充各所述第一电极孔的电极材料，以及

将填充位于第二电极区内的第一电极孔中的电极材料连接至位于第一电极区内的第一电极孔中的电极材料的引线，其中，所述第一电极区是指所述第一电极在所述反射层的正面的存在区域，所述第二电极区是指所述第二电极在所述反射层的正面的存在区域；

所述第二电极包括：

填充各所述第二电极孔的电极材料，以及

使填充各所述第二电极孔的电极材料避开各所述第一电极孔和所述引线而相互连接的部分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的LED芯片，其特征在于，还包括导电层，所述导电层由高透射率的导电材料形成，所述导电层位于所述第二导电型半导体层和所述反射层之间，并且所述第一电极孔延伸穿过所述导电层。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述高透射率的导电材料为ITO、ZnO、导电性高分子材料、PEDOT或纳米碳材。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的LED芯片，其特征在于，在所述导电层、所述第一电极和所述第二电极至少之一上形成有保护层，所述保护层由钛、镍、铬和金中的一种或几种制成。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层由单层或者多层高反射率的绝缘材料制成，所述高反射率的绝缘材料为SiO₂、DBR或光子晶体结构，所述DBR由SiO₂、TiO₂、SiN_x、Ta₂O₅、MgF₂、ZnS中的一种或几种制成。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述隔离层由绝缘材料制成，所述绝缘材料为SiO₂、DBR或光子晶体结构，所述DBR由SiO₂、TiO₂、SiN_x、Ta₂O₅、MgF₂、ZnS中的一种或几种制成。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的LED芯片，其特征在于，还包括绝缘保护膜，所述绝缘保护膜由高硬度的绝缘材料制成，覆盖该LED芯片的所有侧面、而仅暴露所述第一电极和所述第二电极。