[发明专利]一种薄膜电容器的制造方法有效
申请号: | 201310065920.7 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN103165285A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 钱时昌 | 申请(专利权)人: | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 蒋家华 |
地址: | 213300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜电容器,其具有三层结构,自下往上分别为镍基板、电介质层和电极层。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜电容器的制造方法,该方法依次包括如下步骤: (1)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001‑0.002重量%的铜、0.0005‑0.0008重量%的锰,0.005‑0.008重量%的铝、0.0005‑0.001重量%的铬,0.004‑0.006重量%的铁、0.0005‑0.0012重量%的硅以及0.001‑0.002重量%的锑以及0.001‑0.002重量%的钽; (2)将上述原料熔融后,将其轧制成箔片,然后对该箔片进行退火,从而制成镍基板; (3)按照四方相锆钛酸铅PbZr1‑xTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧,从而烧结成PZT靶材,其中x取值是:0
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