[发明专利]一种薄膜电容器的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜电容器的制造方法，该方法依次包括如下步骤： 

（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽； 

（2）将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板； 

（3）按照四方相锆钛酸铅PbZr_1-xTi_xO₃的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO₂和二氧化钛TiO₂粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中x取值是：0<x<1，优选x为0.05≤x≤0.85； 

（4）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板上，从而形成PbZr_1-xTi_xO₃电介质层； 

（5）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层上，从而形成电极层3。 

2.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 

所述镍基板的厚度为100-300微米，优选为200微米。 

3.如权利要求2所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 

其中步骤（3）中煅烧温度为950℃-1200℃，煅烧时间为2.5-3小时。 

4.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 

其中，该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。 

5.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 

该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。 

6.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 

其中，步骤（4）和（5）中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10-5帕斯卡；并且在步骤（4）中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时 间为60分钟；在步骤（5）中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。