[发明专利]用于传导垫的保护层及其形成方法有效
| 申请号： | 201310065365.8 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296007A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | R.恩格尔;S.亨内克;N.迈斯;D.梅因霍尔德;H-J.蒂默;N.乌班斯基;A.瓦特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李浩 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于传导垫的保护层及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成金属线以及在金属线的顶部表面上方沉积合金化材料层。该方法进一步包括通过将合金化材料层与金属线组合而形成保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 传导 保护层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的金属线，该金属线包括金属原子，金属线的顶部表面的部分具有接触区域；以及设置在接触区域上的保护层，该保护层包括所述金属原子，该保护层是与金属线不同的材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310065365.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
