[发明专利]用于传导垫的保护层及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在衬底上方的金属线，该金属线包括金属原子，金属线的顶部表面的部分具有接触区域；以及

设置在接触区域上的保护层，该保护层包括所述金属原子，该保护层是与金属线不同的材料。

2.权利要求1的器件，其中保护层设置在金属线中的凹陷内。

3.权利要求1的器件，其中保护层设置在金属线的侧壁上。

4.权利要求1的器件，其中金属原子包括铜。

5.权利要求4的器件，其中保护层进一步包括铝。

6.权利要求4的器件，其中保护层包含选自包括锡、镁、铬、镍和锌的组的材料。

7.权利要求1的器件，其中金属线为衬底上方的最上面的金属线。

8.权利要求1的器件，其中保护层包括设置在金属线上的合金层以及设置在合金层上方的氧化物层，其中合金层包括铜和合金化元素并且氧化物层包括合金化元素的氧化物。

9.权利要求1的器件，其中金属原子包括铜，并且其中保护层包括设置在金属线上的铝青铜层以及设置在铝青铜层上的氧化铝层。

10.一种半导体器件，包括：

设置在衬底的器件区上方的第一金属线，该金属线包括金属原子，该金属线的顶部表面的部分具有接触区域；

设置在接触区域上的第一保护层，该第一保护层包括所述金属原子，该第一保护层是与第一金属线不同的材料；

形成保护结构的部分的第二金属线，该保护结构包围衬底的器件区；

第二保护层，设置在第二金属线上方并且接触第二金属线。

11.权利要求10的器件，其中第一保护层设置在金属线中的凹陷内。

12.权利要求10的器件，其中第一保护层设置在第一金属线的侧壁上，并且其中第二保护层设置在第二金属线的侧壁上。

13.权利要求10的器件，其中金属原子包括铜。

14.权利要求10的器件，其中第二保护层包括金属原子。

15.权利要求14的器件，其中金属原子包括铜。

16.权利要求15的器件，其中第一和第二保护层进一步包括铝。

17.权利要求10的器件，其中保护结构为防潮层。

18.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

在衬底上方形成金属线；

在金属线的顶部表面上方沉积合金化材料层；以及

通过将合金化材料层与金属线组合而形成保护层。

19.权利要求18的方法，其中沉积合金化材料层包括在金属线的侧壁上方沉积合金化材料层。

20.权利要求18的方法，进一步包括：

在沉积合金化材料层之前，在金属线上方沉积钝化层；以及

打开钝化层的部分以使金属线的顶部表面暴露。

21.权利要求18的方法，进一步包括：

将焊料接触附接到保护层。

22.权利要求18的方法，进一步包括在所述组合之后移除剩余的合金化材料层。

23.权利要求22的方法，其中移除剩余的合金化材料层包括选择性地移除未反应的合金化材料层而不移除保护层。

24.权利要求22的方法，其中移除剩余的合金化材料层包括移除剩余的合金化材料层并且移除保护层的至少一部分。

25.权利要求18的方法，其中组合合金化材料层包括退火。

26.权利要求18的方法，其中组合合金化材料层包括在大约350℃至大约400℃下退火。

27.权利要求18的方法，进一步包括通过将保护层暴露于氧化气氛而在保护层上方形成氧化物层。

28.权利要求18的方法，其中合金化材料层包括铝，并且其中保护层包括铜和铝。

29.权利要求18的方法，其中合金化材料层包含选自包括镍、镁、锡、铬和锌的组的材料，并且其中保护层包括铜以及选自该组的材料。