[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法和制备装置无效
| 申请号： | 201310062429.9 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103151461A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;冯翔;王向华;刘则 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法和一种制备装置。所述有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基片上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极；其中，形成所述有机半导体层的步骤包括：将溶解有用于形成所述有机半导体层的有机半导体材料的溶液进行刮涂形成所述有机半导体层。采用本发明技术方案，由于在刮涂过程中，溶液在基片每行或每列的受到的横向剪切力一致，刮涂形成的溶液的厚度一致，每个器件所处的状态平等，避免了采用旋涂工艺时受到向心力影响而导致基片边缘和中心的差异性，提高了有机薄膜晶体管器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基片上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极；其中，形成所述有机半导体层的步骤包括：将溶解有用于形成所述有机半导体层的有机半导体材料的溶液进行刮涂形成所述有机半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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