[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法和制备装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基片上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极；

其中，形成所述有机半导体层的步骤包括：

将溶解有用于形成所述有机半导体层的有机半导体材料的溶液进行刮涂形成所述有机半导体层。

2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述将溶解有用于形成所述有机半导体层的有机半导体材料的溶液进行刮涂形成所述有机半导体层的刮涂过程中，刮板与基片的所有接触点的线速度相同。

3.如权利要求2所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述线速度是选自0.5mm/s~5cm/s中的任一速度。

4.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述线速度为5mm/s。

5.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述形成有机半导体层之前还包括：在基片上形成亲水区域和疏水区域。

6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基片上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极具体包括：

在基片表面形成栅电极；

在形成有栅电极的基片表面覆盖栅绝缘层；

在栅绝缘层表面形成有机半导体层；

在有机半导体层表面形成源漏电极。

7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基片上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极具体包括：

在基片表面形成源漏电极；

在形成有源漏电极的基片表面覆盖有机半导体层；

在有机半导体层表面形成栅绝缘层；

在栅绝缘层表面形成栅电极。

8.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述溶液中还溶解有高分子聚合物绝缘材料。

9.如权利要求8所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料为6,13-双（三异丙基硅烷基乙炔基）并五苯，所述高分子聚合物绝缘材料为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯，所述6,13-双（三异丙基硅烷基乙炔基）并五苯和高分子聚合物绝缘材料的质量比为1:1，所述6,13-双（三异丙基硅烷基乙炔基）并五苯和高分子聚合物绝缘材料在所述溶液中的总质量百分浓度为2%。

10.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述溶液的溶剂为氯苯或二氯苯。

11.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述基片为硅基片、玻璃基片或塑料基片。

12.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括依次排列的栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极，其中，所述有机半导体层通过如权利要求1-11中任一项所述的方法制备。

13.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括依次排列的源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和栅电极，其中，所述有机半导体层通过如权利要求1-11中任一项所述的方法制备。

14.一种应用于如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法的制备装置，其特征在于，包括：刮板和移动控制装置，其中，所述移动控制装置用于控制刮板与基片接触，并控制刮板相对基片移动；

通过刮板将溶解有用于形成有机半导体层的有机半导体材料的溶液刮涂在基片上。

15.如权利要求14所述的制备装置，其特征在于，所述移动控制装置包括：

固定刮板的固定器和放置基片的传送带。

16.如权利要求14所述的制备装置，其特征在于，所述移动控制装置包括：

移动刮板的移动器和放置基片的平台。

17.如权利要求14所述的制备装置，其特征在于，所述刮板为硅橡胶刮板。

18.如权利要求14所述的制备装置，其特征在于，在刮板朝向基片的一面设置有滴液口。