[发明专利]基于深亚微米CMOS工艺适用于大规模像素阵列的像素结构

摘要

一种基于深亚微米CMOS工艺适用于大规模像素阵列的像素结构，有由PCCT发生器、时序控制电路和阵列共用的全局计数器构成的芯片级，输入端与芯片级的输出端相连的数字像素结构，数字像素结构是由PWM工作模式的像素结构和像素级寄存器构成，芯片级中的PCCT发生器的输出电流IPCCT通过电流镜结构输入到PWM工作模式的像素结构中晶体管MCS的漏端，芯片级中的全局计数器的输出端连接所述的像素级寄存器的输入端，PWM工作模式的像素结构的输出端连接像素级寄存器的写控制端。本发明，动态范围不直接依赖电源电压、可直接输出数字值、无列FPN和读出噪声。在深亚微米CMOS工艺下，可采用低电源电压供电，具有更低的功耗并可获得高的动态范围和信噪比。

主权项

一种基于深亚微米CMOS工艺适用于大规模像素阵列的像素结构，包括有由PCCT发生器（A1）、时序控制电路（A2）和阵列共用的全局计数器（A3）构成的芯片级（A），其特征在于，还设置有输入端与芯片级（A）的输出端相连的数字像素结构（B），所述的数字像素结构（B）是由PWM工作模式的像素结构（B1）和像素级寄存器（B2）构成，其中，芯片级（A）中的PCCT发生器（A1）的输出电流IPCCT通过电流镜结构输入到PWM工作模式的像素结构（B1）中晶体管MCS的漏端，芯片级（A）中的全局计数器（A3）的输出端连接所述的像素级寄存器（B2）的输入端，所述的PWM工作模式的像素结构（B1）的输出端连接像素级寄存器（B2）的写控制端。