[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器无效
| 申请号： | 201310057510.8 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103984171A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 翟应腾;楼均辉;姜文鑫;吴勇 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。所述阵列基板，包括一基板、形成于所述基板上的多条数据线和多个TFT，所述TFT包括源极/漏极和氧化物半导体有源层，所述数据线由第一导电层和形成于所述第一导电层上的第二导电层形成，所述源极/漏极由第一导电层形成，所述氧化物半导体有源层形成于所述源极/漏极之间，并搭接在所述源极/漏极上，所述第一导电层的材料为透明金属氧化物。采用上述阵列基板，可以在氧化物半导体的TFT在短沟道的前提下，避免刻蚀残留污染造成的失效率上升的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括一基板、形成于所述基板上的多条数据线和多个TFT，所述TFT包括源极/漏极和氧化物半导体有源层，其特征在于，所述数据线由第一导电层和形成于所述第一导电层上的第二导电层形成，所述源极/漏极由第一导电层形成，所述氧化物半导体有源层形成于所述源极/漏极之间，并搭接在所述源极/漏极上，所述第一导电层的材料为透明金属氧化物。
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