[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

随着对信息显示的关注和对便携式信息介质的需求的增加，对平板显示技术的研究正在蓬勃展开。其中，薄膜晶体管液晶显示（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD）由于具有微功耗、低工作电压、无X射线辐射、高清晰度、小体积等优点，目前广泛应用于手机、掌上电脑（Personal Digital Assistant,PDA）等便携式电子产品中。随着显示屏的尺寸、分辨率以及显示颜色种类的不断增加，实现低功耗和高亮度显示是目前TFT-LCD的主要发展方向，这就对TFT的结构和制造工艺提出了更高的要求。通常，薄膜晶体管液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及填充于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶。其中，在阵列板上设置有多个薄膜晶体管（TFT）。

如图1所示，TFT100包括：栅极101、形成于所述栅极101上的栅极绝缘层102、形成于所述栅极绝缘层102上的半导体有源层103、形成于所述栅极绝缘层102和部分半导体有源层103上的源极/漏极104、形成于半导体有源层103上并在所述源极/漏极104之间的刻蚀阻挡层105。为了提高TFT 100的电子迁移率，半导体有源层103可以选用氧化物半导体材料。源极/漏极104搭接在部分半导体有源层103上，并与所述刻蚀阻挡层105覆盖保护半导体有源层103。

在所述TFT 100的制造过程中，通常先经过第一次光刻形成刻蚀阻挡层105，并暴露出部分半导体有源层103；然后在经过第二次光刻形成源极/漏极104，并使源极/漏极104搭接在暴露出的部分半导体有源层103上。如图1所示，为了保证将所述半导体有源层103全部覆盖，所述源极/漏极104要覆盖部分刻蚀阻挡层105。可见，TFT 100的沟道的长度是由刻蚀阻挡层105的长度决定的。限于光刻工艺的最小工艺特征尺寸，第一次光刻工艺的最小工艺特征尺寸会与第二次光刻工艺的最小工艺特征尺寸相互叠加，从而使刻蚀阻挡层105的长度不可能做太短，否则会引起源极和漏极的短接。也就是说，TFT 100的沟道长度不可能做太短，从而影响到TFT 100的开口率、开关态电流以及开关跳变电压。

为此，提出了如图2所示的TFT 200，TFT 200包括栅极201、形成于所述栅极201上的栅极绝缘层202、形成所述栅极绝缘层202上的源极/漏极203、形成于所述源极/漏极203之间的栅极绝缘层202上的半导体有源层204，其中，半导体有源层204搭接在部分源极/漏极203上。在TFT 200中，沟道的长度直接取决于源极/漏极203之间的长度，沟道的长度仅受到形成源极/漏极203一道光刻工艺的最小工艺特征尺寸的限制。但是，在TFT 200的制造过程中，在刻蚀形成源极/漏极203刻蚀过程中，残留在源极/漏极203之间的金属或者刻蚀液会污染作为半导体有源层202的氧化物半导体，从而使源极/漏极203发生短路，导致TFT 200失效。

综上所述，在采用氧化物半导体材料作为半导体有源层的TFT中，在将沟道做短的前提下，无法避免刻蚀残留对半导体有源层的污染问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以解决现有技术中氧化物半导体的TFT在短沟道的前提下，刻蚀残留污染造成的失效率上升的问题，从而实现在提高显示品质的同时提高良率的目的。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括一基板、形成于所述基板上的多条数据线和多个TFT，所述TFT包括源极/漏极和氧化物半导体有源层，所述数据线由第一导电层和形成于所述第一导电层上的第二导电层形成，所述源极/漏极由第一导电层形成，所述氧化物半导体有源层形成于所述源极/漏极之间，并搭接在所述源极/漏极上，所述第一导电层的材料为透明金属氧化物。

可选的，在所述阵列基板上，所述透明金属氧化物为氧化铟锡或氧化铟锑。

可选的，在所述阵列基板上，所述透明金属氧化物的厚度为

可选的，在所述阵列基板上，所述TFT还包括：

形成于所述基板上的栅极；以及

形成于所述栅极上的栅极绝缘层；

其中，所述源极/漏极和氧化物半导体有源层形成于所述栅极绝缘层上。

可选的，在所述阵列基板上，所述栅极的材料为Cr、Mo、Al、Ti、Nb、Cu中一种或者几种金属的合金。

可选的，在所述阵列基板上，所述栅极的厚度为