[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310057472.6 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN104008995B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/316;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层；图案化所述阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层，以形成沟槽，选用金属材料填充所述沟槽；去除部分所述金属材料，形成开口；在所述半导体衬底上沉积金属铝并进行氧化，以在所述开口中形成氧化铝材料层。本发明中所述Al2O3通过“沉积金属Al‑氧化Al”的步骤形成，并经过多次循环所述步骤得到具有一定厚度的所述Al2O3材料层，所述沉积‑热氧化的方法不含有等离子电荷，从而避免了等离子体损伤效应。而且所述Al2O3材料层原位形成于所述金属铜之上，还可以进一步提高该材料层上方的覆盖层与金属铜之间粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层；图案化所述阻挡层、所述低K材料层以及所述掩膜叠层，以形成沟槽，选用金属材料填充所述沟槽；去除部分所述金属材料，以形成开口；沉积金属铝并进行氧化，以在所述开口中形成氧化铝材料层，并避免等离子体损伤效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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