[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及非易失性存储器及其制造方法，尤其涉及包含由沟道区域中形成有绝缘隔离膜的晶体管构成的存储单元的非易失性存储器及其制造方法。本发明的非易失性存储器以MOS晶体管为基本结构并至少在沟道区域形成绝缘隔离膜，栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成而成为数据存储场所，构成为栅极至少在栅极下部形成金属层，且第一源极区及第一漏极区中以低浓度掺入掺杂物，而第二源极区及第二漏极区中以高浓度掺入掺杂物，或将MOS晶体管作为基本构成并至少包含沟道区域而形成绝缘隔离膜；或者构成为，栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成而成为数据存储场所，其中栅极成为导电层而第一源极区与第二源极区成为二极管，第一漏极区与第二漏极区也成为二极管。

主权项

一种非易失性存储器，其特征在于，以MOS晶体管为基本构成，该MOS晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅绝缘层；层叠于所述栅绝缘层上的栅极；源极区和漏极区，其中，所述源极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一源极区、作为所述第一源极区之外所余的源极区的第二源极区所构成，所述第一源极区中以低浓度掺入掺杂物而在所述第二源极区中以高浓度掺入掺杂物；所述漏极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一漏极区、作为所述第一漏极区之外所余的漏极区的第二漏极区所构成，在所述第一漏极区中以低浓度掺入掺杂物而在所述第二漏极区中以高浓度掺入掺杂物；在包含所述源极区与漏极区之间的沟道区域的区域中朝向所述半导体衬底的内侧形成有绝缘隔离膜，所述栅极为在该栅极的下部形成金属层，而所述栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成，以使所述金属层与所述第一源极区之间的栅绝缘层成为存储数据的第一存储层，而所述金属层与所述第二漏极区之间的栅绝缘层成为存储数据的第二存储层。