[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，以MOS晶体管为基本构成，该MOS晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅绝缘层；层叠于所述栅绝缘层上的栅极；源极区和漏极区，

其中，所述源极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一源极区、作为所述第一源极区之外所余的源极区的第二源极区所构成，所述第一源极区中以低浓度掺入掺杂物而在所述第二源极区中以高浓度掺入掺杂物；

所述漏极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一漏极区、作为所述第一漏极区之外所余的漏极区的第二漏极区所构成，在所述第一漏极区中以低浓度掺入掺杂物而在所述第二漏极区中以高浓度掺入掺杂物；

在包含所述源极区与漏极区之间的沟道区域的区域中朝向所述半导体衬底的内侧形成有绝缘隔离膜，

所述栅极为在该栅极的下部形成金属层，而所述栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成，以使所述金属层与所述第一源极区之间的栅绝缘层成为存储数据的第一存储层，而所述金属层与所述第二漏极区之间的栅绝缘层成为存储数据的第二存储层。

2.一种非易失性存储器，其特征在于，以MOS晶体管为基本构成，该MOS晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅绝缘层；层叠于所述栅绝缘层上的栅极；源极区和漏极区，

其中，所述源极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一源极区、作为所述第一源极区之外所余的源极区的第二源极区所构成，

所述漏极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一漏极区、作为所述第一漏极区之外所余的漏极区的第二漏极区所构成，

由所述第一源极区与第二源极区、以及第一漏极区与第二漏极区分别形成第一二极管结构体和第二二极管结构体，或者由连接于所述第二源极区的源电极与所述第二源极区、以及连接于第二漏极区的漏电极与所述第二漏极区分别形成第一二极管结构体和第二二极管结构体，

在包含所述源极区与漏极区之间的沟道区域的区域中朝向所述半导体衬底的内侧形成有绝缘隔离膜，

包含所述栅极由导电层形成，所述栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成，从而成为存储数据的场所的存储单元。

3.一种非易失性存储器，其特征在于，以MOS晶体管为基本构成，该MOS晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅绝缘层；层叠于所述栅绝缘层上的栅极；源极区，

其中，所述源极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一源极区、作为所述第一源极区之外所余的源极区的第二源极区所构成，在所述第一源极区中以低浓度掺入掺杂物而在所述第二源极区中以高浓度掺入掺杂物，

在包含沟道区域的区域中形成有向所述半导体衬底的内侧形成的同时扩展至漏极区的绝缘隔离膜，

所述栅极为在该栅极的下部形成金属层，而所述栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成，以使所述金属层与所述第一源极区之间的栅绝缘层成为存储数据的第一存储层，而包含第一存储层的栅极区和源极区成为第一位单元。

4.一种非易失性存储器，其特征在于，以MOS晶体管为基本构成，该MOS晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅绝缘层；层叠于所述栅绝缘层上的栅极；漏极区，

其中，所述漏极区由包含相交于所述栅绝缘层的区域的第一漏极区、作为所述第一漏极区之外所余的漏极区的第二漏极区所构成，在所述第一漏极区中以低浓度掺入掺杂物而在所述第二漏极区中以高浓度掺入掺杂物，

在包含沟道区域的区域中形成有向所述半导体衬底的内侧形成的同时扩展至源极区的绝缘隔离膜，

所述栅极为在该栅极的下部形成金属层，而所述栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成，以使所述金属层与所述第一漏极区之间的栅绝缘层成为存储数据的第二存储层，而包含第二存储层的栅极区和漏极区成为第二位单元。

5.如权利要求1、3、4中的任意一项所述的非易失性存储器，其特征在于，如果所述第一存储层成为导通状态，则栅极与第一源极区成为第一二极管，或者如果所述第二存储层成为导通状态，则栅极与第一漏极区成为第二二极管。

6.如权利要求1至4中的任意一项所述的非易失性存储器，其特征在于，还在所述栅极侧壁形成侧壁间隔层，而所述绝缘隔离膜形成为浅沟槽隔离。