[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示装置无效
| 申请号： | 201310053699.3 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103165471A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 孔祥永;成军;王东方;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法和显示装置，以解决现有技术中欧姆接触层的刻蚀工艺难控制，并且刻蚀液会对氧化物半导体层材料特性产生不利影响的问题。本发明中形成半导体层和欧姆接触层的过程包括：对于所述栅极绝缘层，在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处，通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案；在所述栅极绝缘层上，对应所述半导体图案形状的图案化位置处形成半导体层，对应所述欧姆接触层图案形状的图案化位置处形成欧姆接触层。通过本发明无需对欧姆接触层进行刻蚀，避免了刻蚀药液对氧化物半导体层及欧姆接触层材料的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制作方法，包括形成栅电极、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层和源漏电极层的过程，还包括形成半导体层和欧姆接触层的过程，其特征在于，所述形成半导体层和欧姆接触层的过程包括：对于所述栅极绝缘层，在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处，通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案；在所述栅极绝缘层上，对应所述第一凹槽内形成半导体层的图案，对应所述第二凹槽内形成欧姆接触层的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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