[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制作方法，包括形成栅电极、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层和源漏电极层的过程，还包括形成半导体层和欧姆接触层的过程，其特征在于，所述形成半导体层和欧姆接触层的过程包括：

对于所述栅极绝缘层，在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处，通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案；

在所述栅极绝缘层上，对应所述第一凹槽内形成半导体层的图案，对应所述第二凹槽内形成欧姆接触层的图案。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成半导体层和欧姆接触层的过程，具体包括：

步骤1、在所述栅极绝缘层上方形成光刻胶；

步骤2、对所述栅极绝缘层上，待形成半导体层和欧姆接触层对应位置处的光刻胶进行全曝光，并对所述全曝光位置处的栅极绝缘层进行构图工艺，形成包括所述第一凹槽和所述第二凹槽的栅极绝缘层图案，且所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述栅极绝缘层上具有相同的内凹深度；

步骤3、将形成半导体层的材料注入到所述第一凹槽内，形成半导体层的图案；将形成欧姆接触层的材料注入到所述第二凹槽内，形成欧姆接触层的图案。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成半导体层和具有单一导电性能的欧姆接触层的过程，具体包括：

步骤1、在所述栅极绝缘层上方形成光刻胶；

步骤2、对所述栅极绝缘层上，在待形成半导体层位置处的光刻胶进行全曝光，在待形成欧姆接触层位置处的光刻胶进行半曝光；

步骤3、对于所述全曝光位置处的栅极绝缘层通过构图工艺，在所述全曝光位置处形成包括所述第一凹槽的栅极绝缘层图案；

步骤4、将形成半导体层的材料注入到所述第一凹槽内，形成半导体层的图案；

步骤5、去除所述栅极绝缘层半曝光位置处残留的光刻胶，并刻蚀半曝光位置处的栅极绝缘层，形成包括所述第二凹槽的栅极绝缘层图案，且所述第二凹槽和所述第一凹槽具有相同的内凹深度；

步骤6、将形成欧姆接触层的材料注入到所述第二凹槽内，形成欧姆接触层的图案。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成半导体层和欧姆接触层的过程，具体包括：

步骤1、在所述栅极绝缘层上方形成光刻胶；

步骤2、对所述栅极绝缘层上，在待形成半导体层对应位置处的光刻胶全曝光；在待形成欧姆接触层位置处的光刻胶，采用相对所述全曝光位置处曝光程度逐级递减的方式，对所述光刻胶进行梯次曝光处理；

步骤3、对于所述全曝光位置处的栅极绝缘层，通过构图工艺在所述全曝光位置处形成包括所述第一凹槽的栅极绝缘层图案；

步骤4、将形成半导体层的材料注入到所述第一凹槽内，形成半导体层的图案；

步骤5、通过构图工艺分别去除梯次曝光处理后的所述栅极绝缘层上的光刻胶，并分别对于栅极绝缘层进行构图工艺，逐级形成包括第二凹槽的栅极绝缘层图案，且所述第二凹槽和所述第一凹槽具有相同的内凹深度；

分别将形成导电性能梯次变化的欧姆接触层的材料注入到所述第二凹槽内，形成导电性能梯次变化的欧姆接触层。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述半导体层的注入方法包括溅射或者喷墨打印的方式。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成所述欧姆接触层的注入方法包括喷墨打印的方式。

7.一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层、半导体层、欧姆接触层和源漏电极，其特征在于，对于所述栅极绝缘层，在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处，通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案，且所述半导体层形成在所述第一凹槽内，所述欧姆接触层形成在所述第二凹槽内。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽，在所述栅极绝缘层上具有相同的内凹深度。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层具有单一的导电性能。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层具有梯次变化的导电性能，且靠近所述半导体层处的导电性能最低。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的氧化物薄膜晶体管。