[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201310053615.6 申请日: 2013-02-19
公开(公告)号: CN103197501A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 郭建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F1/42 分类号: G03F1/42;G03F9/00;G03F7/20;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开的多膜层基板的制备方法包括:在衬底上形成第一膜层,并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识;在第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层。针对每一层后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与特定对位标识对位,进行曝光,且在构图过程中,清除在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形;针对顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与特定对位标识进行对位,进行曝光。本发明提供的基板制备方法,所有后续膜层使用同一组对位标识进行对位,提高了形成的后续膜层图形之间的对位精度。本发明还提供了一种采用上述制备方法制备的阵列基板,和包括上述阵列基板的显示装置。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上形成第一膜层,并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识;在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层,其中针对每一层所述后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位,对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光;且在构图过程中,清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形;针对所述顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位,对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。
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