[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
| 申请号: | 201310053615.6 | 申请日: | 2013-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN103197501A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00;G03F7/20;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开的多膜层基板的制备方法包括:在衬底上形成第一膜层,并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识;在第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层。针对每一层后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与特定对位标识对位,进行曝光,且在构图过程中,清除在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形;针对顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与特定对位标识进行对位,进行曝光。本发明提供的基板制备方法,所有后续膜层使用同一组对位标识进行对位,提高了形成的后续膜层图形之间的对位精度。本发明还提供了一种采用上述制备方法制备的阵列基板,和包括上述阵列基板的显示装置。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上形成第一膜层,并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识;在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层,其中针对每一层所述后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位,对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光;且在构图过程中,清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形;针对所述顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位,对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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