[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体构图工艺技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

目前，在半导体加工中，一个产品的制作过程往往包括十几次甚至是几十次的光刻构图工艺，其中，除了第一次光刻构图以外，其余层次的光刻构图中，在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。

以液晶显示装置中的薄膜晶体管TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）阵列基板的曝光工艺为例，TFT阵列基板包括衬底和依次形成在衬底上的多个膜层，在多个膜层的光刻构图过程中，其曝光工艺中采用的传统的对位方法为：首先在直接生成于衬底上的第一膜层的对位区域A内形成多组对位标识（mark），作为后续膜层与第一膜层形成的图形对位的基准标尺；以其中一层后续膜层的对位曝光为例，如图1所示，图1中所示的一组对位mark1为该后续膜层的掩膜板的对位标识，在对第一膜层之上的第二膜层进行曝光对位时，掩膜板的一组对位mark2与第一膜层中的该组对位mark1进行对位，以实现对第二膜层形成的图形与第一膜层中图形的精确对位，掩膜板中具有的对位mark2如图2所示。

通过上述对位方法进行对位之后，对第二膜层进行曝光显影，其使用的掩膜板的mark2会在mark1中形成mark2的图形，进而使第一膜层形成的对位区域A中的图形变为mark1和mark2的组合图形，如图3所示；因此，在第二膜层光刻构图完成后，位于第二膜层之后的后续膜层在光刻构图中无法再次使用mark1进行对位，而必须使用其它位置的一组mark进行对位，从而导致第一膜层之后的每一层膜层在光刻构图时只能使用第一膜层中不同组的mark进行对位，会造成各膜层之间的对位偏移量和对位偏移方向不一致，从而造成层层之间曝光之后形成的图形之间的对位误差较大，增加了TFT阵列基板产品不良的产生。

发明内容

本发明提供了一种基板制备方法，在多层后续膜层的光刻构图工艺中，提高多层膜层形成的图形之间的对准精度，降低产品不良，提高产品质量。本发明还提供了一种通过上述基板制备方法制备的阵列基板以及具有上述阵列基板的显示装置。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底上形成第一膜层，并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识；

在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层，其中

针对每一层所述后续膜层的构图工艺：将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光；且在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形；

针对所述顶层膜层的构图工艺：将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。

优选地，所述针对顶层膜层的构图工艺的步骤中，还包括：

在构图工艺中，清除在对顶层膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形。

优选地，所述在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形，具体包括：

对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形。

优选地，所述对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形，具体包括：

使用曝光机的打标单元对所述第一膜层的对位区域进行单点曝光，并经过显影将该区域的光刻胶图形移除。

优选地，对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形，具体包括：

后续膜层中顺序相邻的两个与曝光机的镜头区域对应的曝光区中，前曝光区完成曝光，对后曝光区进行曝光时，曝光机将前曝光区内的对位区域中靠近后曝光区的区域进行曝光；

采用曝光机的打标单元对所述第一膜层的对位区域剩余的区域进行单点曝光；

对所述第一膜层的对位区域进行显影，移除对位区域内的光刻胶图形。

优选地，所述对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形过程中：

完成对一层后续膜层的曝光步骤之后，再进行所述采用曝光机的打标单元对所述第一膜层的对位区域剩余的区域进行单点曝光的步骤。