[发明专利]离子注入方法、输送容器及离子注入装置无效
| 申请号： | 201310051265.X | 申请日： | 2013-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103247522A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曾我知洋 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭;郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入方法、输送容器及离子注入装置，其提高对太阳能电池用基板表面进行离子注入的装置的生产率，本发明的离子注入方法包括：配置工序，在大气中，将与容纳太阳能电池用的基板的托盘一体使用的掩模配置于第1位置或第2位置，所述第1位置为以相对基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从基板表面退避的位置；第1注入工序，在真空中，以掩模处于第1位置的状态，对基板表面的第1区域进行离子注入；及第2注入工序，在真空中，以掩模处于第2位置的状态，对基板表面的第2区域进行离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 输送 容器 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入方法，其特征在于，包括：配置工序，在大气中，将与容纳太阳能电池用基板的托盘一体使用的掩模配置于第1位置或第2位置，所述第1位置为以相对所述基板定位的状态覆盖该基板表面的局部区域的位置，所述第2位置为从所述基板表面退避的位置；第1注入工序，在真空中，以所述掩模处于所述第1位置的状态，对所述基板表面的第1区域进行离子注入；及第2注入工序，在真空中，以所述掩模处于所述第2位置的状态，对所述基板表面的第2区域进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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