[发明专利]半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法有效
申请号: | 201310050894.0 | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN103984175B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 游家华;胡宪堂;任珂锐;赖瑞麒 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种半穿透半反射液晶显示器及其制造方法。半穿透半反射液晶显示器具有定义一反射区以及一穿透区的第一基板;一第一金属层、一绝缘层以及一半导体层依序设置于第一基板上,半导体层包括一通道区,以及一源极区和一漏极区位于通道区的两侧,第一金属层包括一栅极区对应通道区;一第一介电层,设置于半导体层和绝缘层上,具有通孔曝露出部分漏极区;一第一共通电极,设置于第一介电层上且覆盖曝露的漏极区;一反射电极,设置于反射区的第一介电层上;一第二介电层,设置于第一共通电极和反射电极上;一像素电极,设置在穿透区与反射区的第二介电层上,并透过通孔电性连接漏极区。 | ||
搜索关键词: | 穿透 反射 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半穿透半反射液晶显示器,其特征在于,至少包括:一薄膜晶体管,设置于一第一基板上,其中该第一基板具有一反射区以及一穿透区上,该薄膜晶体管具有一通道区、一源极区、一漏极区和一栅极区;一第一介电层,设置于该薄膜晶体管上,该第一介电层具有一通孔来曝露出部分的该漏极区,其中该反射区的该第一介电层具有起伏表面;一第一共通电极,设置于该第一介电层上以及该通孔中,且覆盖该曝露出部分漏极区;一反射电极,设置于该反射区中的该第一介电层上;一第二介电层,设置于该第一共通电极和该反射电极上,以及该通孔的侧壁上;一像素电极,设置在该穿透区与该反射区的该第二介电层上,该像素电极透过该通孔电性连接该漏极区;以及一第二基板面对该第一基板设置,一色阻层堆叠设置于该第二基板上,其中该第二基板对应于该反射区处的该色阻层形成有一开口。
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