[发明专利]半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，至少包括：

一薄膜晶体管，设置于一第一基板上，其中该第一基板具有一反射区以及一穿透区上，该薄膜晶体管具有一通道区、一源极区、一漏极区和一栅极区；

一第一介电层，设置于该薄膜晶体管上，该第一介电层具有一通孔来曝露出部分的该漏极区；

一第一共通电极，设置于该第一介电层上以及该通孔中，且覆盖该曝露出部分漏极区；

一反射电极，设置于该反射区中的该第一介电层上；

一第二介电层，设置于该第一共通电极和该反射电极上，以及该通孔的侧壁上；以及

一像素电极，设置在该穿透区与该反射区的该第二介电层上，该像素电极透过该通孔电性连接该漏极区。

2.根据权利要求1所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：

一第一金属层，设置于该第一基板的该穿透区；

一绝缘层，设置于该第一金属层与该第一基板上；以及

一半导体层，设置于该绝缘层上并对应该第一金属层位置，其中该半导体层包括该通道区，以及位于该通道区的两侧的该源极区和该漏极区，该第一金属层包括对应该通道区的该栅极区。

3.根据权利要求1所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，还包括：

一第二基板面对该第一基板设置，一色阻层堆叠设置于该第二基板上，其中该第二基板对应于该反射区处的该色阻层形成有一开口；以及

一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板间。

4.根据权利要求3所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该第一共通电极延伸设置于该穿透区与该反射区中，该反射电极设置于该反射区的该第一共通电极上。

5.根据权利要求4所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该像素电极具有多个开口，以与该第一共通电极形成横向电场驱动该反射区与该穿透区的液晶层。

6.根据权利要求3所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，还包括一第二共通电极设置于该第二基板对应于该反射区处的该色阻层上。

7.根据权利要求6所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该第一共通电极设置于该穿透区中，该反射电极设置于该反射区的该第一介电层上并电性连接或电性绝缘该第一共通电极。

8.根据权利要求6所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，设置于该穿透区中的该像素电极具有多个开口，以与该第一共通电极形成横向电场驱动该穿透区的液晶层。

9.根据权利要求6所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，设置于该反射区中的该像素电极与该第二共通电极形成电场驱动该反射区的液晶层。

10.一种半穿透半反射液晶显示器的制造方法，其特征在于，至少包括：

提供一第一基板，并于该第一基板上定义出一反射区以及一穿透区；

于该第一基板的该穿透区上形成一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有一源极区、一漏极区和一栅极区；

于该薄膜晶体管上形成一第一介电层，其中该第一介电层具有一通孔来曝露出部分的该漏极区；

于该第一介电层上以及该通孔中形成一第一共通电极，其中该通孔中的该第一共通电极覆盖该曝露出的部分漏极区；

于该反射区中的该第一介电层上形成一反射电极；

于该第一共通电极和该反射电极上，以及该通孔的侧壁上形成一第二介电层；以及

于该穿透区与该反射区的该第二介电层上形成一像素电极，该像素电极透过该通孔电性连接该漏极区。