[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310047492.5 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103632719B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张伦铢 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件及其操作方法。所述半导体存储器件包括：被配置成包括存储单元的存储单元阵列；被配置成执行擦除操作和软编程操作的外围电路；以及控制电路，被配置成控制所述外围电路使得当执行所述软编程操作时通过热载流子注入HCI方法来对存储单元编程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：被配置成包括存储单元的存储单元阵列；被配置成执行擦除操作和软编程操作的外围电路；以及控制电路，被配置成控制所述外围电路使得当执行所述软编程操作时通过热载流子注入HCI方法来对存储单元编程，其中，在所述软编程操作期间，所述外围电路将控制电压施加至所述存储单元之中的与待编程的选中的存储单元相邻的存储单元、以及将通过电压施加至其余的存储单元。
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