[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

被配置成包括存储单元的存储单元阵列；

被配置成执行擦除操作和软编程操作的外围电路；以及

控制电路，被配置成控制所述外围电路使得当执行所述软编程操作时通过热载流子注入HCI方法来对存储单元编程，

其中，在所述软编程操作期间，所述外围电路将控制电压施加至所述存储单元之中的与待编程的选中的存储单元相邻的存储单元、以及将通过电压施加至其余的存储单元。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述外围电路包括：

电压供给部，被配置成响应于从所述控制电路输出的电压供给部控制信号来产生用于所述擦除操作的擦除电压，并产生用于所述软编程操作的所述控制电压和所述通过电压；以及

X译码器，被配置成响应于从所述控制电路输出的行地址信号来提供所述通过电压和所述控制电压至与所述存储单元相连的字线。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述控制电路控制所述外围电路，使得在执行所述软编程操作时以页为单位来对所述存储单元阵列进行编程。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，与所述选中的存储单元相邻的存储单元在漏极选择晶体管的方向上。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，与所述选中的存储单元相邻的存储单元根据所述控制电压而被关断，而所述其余存储单元根据所述通过电压被沟道升压。

6.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述控制电压是0V或负电压。

7.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路还包括用于通过感测所述存储单元阵列的位线电势来执行擦除验证操作和软编程验证操作的页缓冲器。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述控制电路控制所述外围电路，使得在所述擦除验证操作中的目标阈值电压与在所述软编程验证操作中相同。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述软编程操作在所述擦除操作完成之后执行，且执行软编程操作的存储单元阵列中的每个存储单元具有与擦除状态相对应的阈值电压分布。

10.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在结束擦除操作之后，通过执行软编程操作来升高与擦除状态相对应的存储单元的阈值电压，其中，所述软编程操作使用热载流子注入HCI方法通过关断存储单元之中的与选中的存储单元相邻的存储单元以及将包括所述选中的存储单元的存储串的沟道升压来被执行；

通过软编程验证操作来验证存储单元的阈值电压是否高于目标阈值电压；以及

在根据软编程验证操作判定存储单元的阈值电压小于目标阈值电压的情况下，再次执行所述软编程操作和后续步骤。

11.如权利要求10所述的方法，其中，使用所述HCI方法的软编程操作包括：

将控制电压施加到存储单元中的与待编程的选中的存储单元相邻的存储单元，由此关断与所述选中的存储单元相邻的存储单元；

通过将通过电压提供给除了与所述选中的存储单元相邻的存储单元和选中的存储单元以外的未被选中的存储单元来对沟道进行升压；以及

根据由于被提供给选中的存储单元的通过电压而产生的电场，将形成有与所述选中的存储单元相邻的存储单元的半导体衬底中的热载流子注入到选中的存储单元的电荷存储层中，由此对选中的存储单元进行编程。

12.如权利要求11所述的方法，其中，其中与所述选中的存储单元在漏极选择晶体管的方向上。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述软编程操作以页为单位来执行。

14.如权利要求10所述的方法，其中，所述目标阈值电压低于0V。