[发明专利]一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法

摘要

本发明公开了一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法，主要包括在一定温度下利用还原性气体和惰性气体的氛围，调节碳源气体的流量和反应腔的压强，在金属基底表面生长双层石墨烯薄膜。该方法避免了现有技术中的有毒有害的还原剂，对于环境十分友好，工艺简单，便于操作，特别适合应用于双层石墨烯的低成本、大规模生产。

主权项

一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法，其特征在于包括以下步骤：1）将金属基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗干净，吹干；2）将金属基底放置在CVD装置的恒温加热区，并抽真空至压强在1mTorr以内；3）将金属基底在10~60分钟内升至500‑1000℃，并且通入0.5~1000sccm流量的还原性气体，保持CVD装置反应腔压强为0.01‑100 Torr，去除金属基底的氧化层；4）保持金属基底温度为500‑1000℃，反应腔压强为0.1‑100Torr，并且通入0.5~1000sccm流量的还原性气体和5~1000sccm流量的碳源气体，生长10~600分钟；5）将金属基底在10~400分钟内降温至400‑600℃，并且通入0.5~500sccm流量的还原性气体和5~600sccm流量的惰性气体，保持CVD装置反应腔压强为0.1‑100Torr，继续生长10~60分钟；6）保持CVD装置反应腔压强为0.1‑100Torr，并且通入10~500sccm流量的惰性气体，将金属基底在10~500分钟降温至室温，得到双层石墨烯。