[发明专利]一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法

权利要求书

1.一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将金属基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗干净，吹干；

2）将金属基底放置在CVD装置的恒温加热区，并抽真空至压强在1mTorr以内；

3）将金属基底在10~60分钟内升至500-1000℃，并且通入0.5~1000sccm流量的还原性气体，保持CVD装置反应腔压强为0.01-100 Torr，去除金属基底的氧化层；

4）保持金属基底温度为500-1000℃，反应腔压强为0.1-100Torr，并且通入0.5~1000sccm流量的还原性气体和5~1000sccm流量的碳源气体，生长10~600分钟；

5）将金属基底在10~400分钟内降温至400-600℃，并且通入0.5~500sccm流量的还原性气体和5~600sccm流量的惰性气体，保持CVD装置反应腔压强为0.1-100Torr，继续生长10~60分钟；

6）保持CVD装置反应腔压强为0.1-100Torr，并且通入10~500sccm流量的惰性气体，将金属基底在10~500分钟降温至室温，得到双层石墨烯。

2.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于所述的金属基底为铜箔、金箔、锌箔、镍箔或者铝箔。

3.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于：所述的还原性气体为氢气或一氧化碳。

4.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于：所述的碳源气体为甲烷、乙烷、乙炔、乙烯或乙醇。

5.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于：所述的惰性气体为氩气、氮气、氦气或氖气。

6.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于步骤3）中还原性气体的流量为10-50sccm。

7.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于步骤4）中还原性气体的流量为5~50sccm，碳源气体的流量为60~100sccm。

8.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于步骤5）中还原性气体的流量为5~50sccm。

9.根据权利要求1所述的双层石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于步骤6）中惰性气体的流量为50~250sccm。