[发明专利]使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计有效
| 申请号： | 201310042100.6 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103579091A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | M·拉希德;M·泰拉比;C·阮;D·多曼;J·金;X·齐;S·文卡特桑 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于提供使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计的方法。实施例包含下列步骤：提供在一衬底上方的第一及第二栅极结构；提供穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区，以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区；提供在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件，以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件；以及提供在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 扩散 接触 结构 基于 交叉 耦合 设计 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含下列步骤：提供在一衬底上方的第一及第二栅极结构；提供穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区，以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区；提供在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件，以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件；以及提供在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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