[发明专利]使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计

权利要求书

1.一种方法，其包含下列步骤：

提供在一衬底上方的第一及第二栅极结构；

提供穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区，以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区；

提供在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件，以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件；以及

提供在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供在一两栅极间距区内的该扩散接触结构、该第一栅极截止区及该第二栅极截止区。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该两栅极间距区包含第一、第二、第三及第四晶体管。

4.如权利要求3所述的方法，其进一步包括：

提供在该第一栅极截止区的两对边上的该第一晶体管的第一晶体管栅极结构与该第二晶体管的第二晶体管栅极结构；以及

提供在该第二栅极截止区的两对边上的该第三晶体管的第三晶体管栅极结构与该第四晶体管的第四晶体管栅极结构。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该扩散接触结构与该第一栅极结构、该第二栅极结构或其组合重叠。

6.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供有该第一及该第二栅极结构、该第一及该第二栅极截止区、该第一及该第二栅极接触件以及该扩散接触结构的一复用器电路。

7.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供有该第一及该第二栅极结构、该第一及该第二栅极截止区、该第一及该第二栅极接触件以及该扩散接触结构的一触发器电路。

8.如权利要求7所述的方法，其进一步包括：

提供在该衬底上方的第三、第四、第五及第六栅极结构；

提供穿越该第三栅极结构的第三栅极截止区，穿越该第四栅极结构的第四栅极截止区，穿越该第五栅极结构的第五栅极截止区，以及穿越该第六栅极结构的第六栅极截止区；

提供在该第三栅极结构上方的第三栅极接触件，在该第四栅极结构上方的第四栅极接触件，在该第五栅极结构上方的第五栅极接触件，以及在该第六栅极结构上方的第六栅极接触件；以及

提供在该第三及该第四栅极截止区之间以使该第三栅极接触件耦合至该第四栅极接触件的第二扩散接触结构，以及在该第五及该第六栅极截止区之间以使该第五栅极接触件耦合至该第六栅极接触件的第三扩散接触结构，

其中，该触发器电路进一步包含该第三、该第四、该第五及该第六栅极结构、该第三、该第四、该第五及该第六栅极截止区、该第三、该第四、该第五及该第六栅极接触件及该第二及该第三扩散接触结构。

9.一种装置，其包含：

在一衬底上方的第一及第二栅极结构；

穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区，以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区；

在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件，以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件；以及

在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。

10.如权利要求9所述的装置，其中，该扩散接触结构、该第一栅极截止区及该第二栅极截止区都在一两栅极间距区内。

11.如权利要求10所述的装置，其中，该两栅极间距区包含第一、第二、第三及第四晶体管。

12.如权利要求11所述的装置，其进一步包含：

在该第一栅极截止区的两对边上的该第一晶体管的第一晶体管栅极结构与该第二晶体管的第二晶体管栅极结构；以及

在该第二栅极截止区的两对边上的该第三晶体管的第三晶体管栅极结构与该第四晶体管的第四晶体管栅极结构。

13.如权利要求9所述的装置，其中，该扩散接触结构与该第一栅极结构、该第二栅极结构或其组合重叠。

14.如权利要求9所述的装置，其进一步包含：

有该第一及该第二栅极结构、该第一及该第二栅极截止区、该第一及该第二栅极接触件以及该扩散接触结构的一复用器电路。