[发明专利]小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法

摘要

小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法属于晶体生长技术领域。现有技术成功率低、晶体质量差。本发明之装置其特征在于，坩埚经坩埚座安置在保温套底部上面；每个连接梁将两两相对的电极座连接起来，各个连接梁的中点相交于一点，各个连接梁在该点彼此连接成一体，提拉杆的下端在该点与各个连接梁相连；电极杆与密封圈动配合。本发明之方法其特征在于，由提拉杆通过连接梁、电极座、电极杆向上提拉加热体，温场随之上升，坩埚、仔晶筒、坩埚座、仔晶静止。依本发明生长氟化镁晶体成功率为95%以上，位错密度降低到10~30/cm2，在0.2~7.5μm波段的吸收系数小于2×10E-4/cm，晶体质量全面提高。

主权项

一种小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置，在真空室（1）内部外围是保温套（2），坩埚（3）位于保温套（2）内部中央；在坩埚（3）底部中心有仔晶筒（4），仔晶筒（4）下面是坩埚座（5）；若干个加热体（6）等高悬挂在坩埚（3）侧壁周围，加热体（6）上端连接水冷电极杆（7），电极杆（7）先穿过保温套（2）顶部再穿过真空室（2）顶部的密封圈（8）与电极座（9）连接；控温热电偶（10）位于仔晶筒（4）侧面1/2~2/3仔晶筒高度处；其特征在于，坩埚（3）经坩埚座（5）安置在保温套（2）底部上面；每个连接梁（11）将两两相对的电极座（9）连接起来，各个连接梁（11）的中点相交于一点，各个连接梁（11）在该点彼此连接成一体，提拉杆（12）的下端在该点与各个连接梁（11）相连；电极杆（7）与密封圈（8）动配合。