[发明专利]半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法和发光装置有效
| 申请号: | 201310037581.1 | 申请日: | 2013-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN103227259A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
| 发明(设计)人: | 篠原裕直;平野健介 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种半导体发光元件(1),其具有蓝宝石基板(100)、层叠在蓝宝石基板(100)上的下侧半导体层(210)以及上侧半导体层(220),蓝宝石基板(100)具备基板上表面(113)、基板底面、第1基板侧面(111)以及第2基板侧面(112),并且,在第1基板侧面(111)以及第2基板侧面(112)与基板上表面(113)的边界设置有多个第1切口(121a)以及多个第2切口(122a),下侧半导体层(210)具备下侧半导体底面、下侧半导体上表面(213)、第1下侧半导体侧面(211)以及第2下侧半导体侧面(212),在第1下侧半导体侧面(211)设置有多个第1凸部(211a)以及多个第1凹部(211b),在第2下侧半导体侧面(212)设置有多个第2突起部(212a)以及第2平坦部(212b)。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件,是具备半导体层的半导体发光元件,所述半导体层包含通过通电而发光的发光层,所述半导体发光元件的特征在于,所述半导体层具备:包含在第1方向上延伸的第1半导体侧面和在与该第1方向交叉的第2方向上延伸的第2半导体侧面的半导体侧面;和由该半导体侧面连接、且相互相对的半导体上表面和半导体底面,在所述第1半导体侧面,沿着所述第1方向交替地排列设置有多个第1凹部和第1凸部,所述第1凹部沿着从所述半导体底面朝向所述半导体上表面的第3方向延伸且向所述半导体层的内侧凹陷,所述第1凸部沿着该第3方向延伸且与该第1凹部相比向该半导体层的外侧突出,在所述第2半导体侧面,沿着所述第2方向交替地排列设置有多个第2凹部和第2凸部,所述第2凹部沿着所述第3方向延伸且向所述半导体层的内侧凹陷,所述第2凸部沿着该第3方向延伸且与该第2凹部相比向该半导体层的外侧突出,由所述第1凹部和所述第1凸部在所述第1半导体侧面形成的凹凸与由所述第2凹部和所述第2凸部在所述第2半导体侧面形成的凹凸,形状不同。
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