[发明专利]半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法和发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，是具备半导体层的半导体发光元件，所述半导体层包含通过通电而发光的发光层，所述半导体发光元件的特征在于，

所述半导体层具备：包含在第1方向上延伸的第1半导体侧面和在与该第1方向交叉的第2方向上延伸的第2半导体侧面的半导体侧面；和由该半导体侧面连接、且相互相对的半导体上表面和半导体底面，

在所述第1半导体侧面，沿着所述第1方向交替地排列设置有多个第1凹部和第1凸部，所述第1凹部沿着从所述半导体底面朝向所述半导体上表面的第3方向延伸且向所述半导体层的内侧凹陷，所述第1凸部沿着该第3方向延伸且与该第1凹部相比向该半导体层的外侧突出，

在所述第2半导体侧面，沿着所述第2方向交替地排列设置有多个第2凹部和第2凸部，所述第2凹部沿着所述第3方向延伸且向所述半导体层的内侧凹陷，所述第2凸部沿着该第3方向延伸且与该第2凹部相比向该半导体层的外侧突出，

由所述第1凹部和所述第1凸部在所述第1半导体侧面形成的凹凸与由所述第2凹部和所述第2凸部在所述第2半导体侧面形成的凹凸，形状不同。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述半导体层具有：设置于所述半导体底面与所述发光层之间的第1半导体层；和包含该发光层且设置于该第1半导体层上的第2半导体层，

所述第1凸部和所述第1凹部被设置于所述第1半导体层，

所述第2凸部和所述第2凹部被设置于所述第1半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1半导体侧面与所述半导体底面形成的角以及所述第2半导体侧面与该半导体底面形成的角均大于90度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述半导体层由III族氮化物半导体构成，并且层叠在由蓝宝石单晶的C面构成上表面的基板的该上表面上，

所述第1方向沿着构成所述基板的蓝宝石单晶的M面，

所述第2方向沿着构成所述基板的蓝宝石单晶的A面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

相邻的所述第1凸部彼此的间隔与相邻的所述第2凸部彼此的间隔相互不同。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1半导体侧面和/或所述第2半导体侧面的、沿着与所述第3方向垂直的面的横截面形状，随着从所述半导体底面侧向所述半导体上表面侧而变化。

7.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，

在所述基板的所述上表面形成有凹凸。

8.一种半导体发光元件的制造方法，包括：

第1激光照射工序，该工序通过对在基板上层叠有包含通过通电而发光的发光层的半导体层的半导体层叠基板，从层叠有该半导体层的一侧沿着第1方向依次照射激光，从而沿着该第1方向排列地形成各自贯通该半导体层的多个第1开口部，并使得其与相邻的第1开口部之间具有第1间隔；

第2激光照射工序，该工序通过对所述半导体层叠基板，从层叠有所述半导体层的一侧，沿着与所述第1方向交叉且该半导体层的结晶取向与该第1方向不同的第2方向依次照射激光，从而沿着该第2方向排列地形成各自贯通该半导体层的多个第2开口部，并使得其与相邻的第2开口部之间具有第2间隔；和

蚀刻工序，该工序对形成有多个所述第1开口部和多个所述第2开口部的所述半导体层叠基板中的所述半导体层实施湿式蚀刻。

9.根据权利要求8所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在所述蚀刻工序中，对所述半导体层实施湿式蚀刻，使得相邻的第1开口部彼此、以及相邻的第2开口部彼此分别连接。

10.根据权利要求8或9所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

所述第1激光照射工序，对在以蓝宝石单晶的C面为上表面的所述基板的该上表面上层叠有由III族氮化物半导体构成的所述半导体层的所述半导体层叠基板，在沿着构成该基板的蓝宝石单晶的M面的所述第1方向上照射激光，

所述第2激光照射工序，对所述半导体层叠基板，在沿着构成所述基板的蓝宝石单晶的A面的所述第2方向上照射激光。