[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的多量子阱结构无效
| 申请号： | 201310037319.7 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103117341A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 罗绍军;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;李四明 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高GaN基LED发光效率的多量子阱结构，从下至上依次包括电子存储区、电子收集区和发光区；所述电子存储区，其包括若干交替生长的势阱和势垒，用于存储电子；所述电子收集区，其包括一个势垒，用于收集电子和加快电子存储区与发光区间的电子传输速度；所述发光区，其包括若干交替生长的势阱和势垒，用于实现发光。并且，所述电子收集区的势垒高度比所述发光区的势阱高。本发明将GaN基LED的MQW有源区严格分成电子存储区、电子收集区和发光区，有利于促进LED行业的发展，且减少了GaN基LED结构的生长时间，节约源料、降低成本，有利于推进LED的照明普及，同时还能减小漏电，达到提高ESD良率及发光效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 发光 效率 多量 结构 | ||
【主权项】：
一种提高GaN基LED发光效率的多量子阱结构，其特征在于，从下至上依次包括电子存储区、电子收集区和发光区；所述电子存储区，其包括若干交替生长的势阱和势垒，用于存储电子；所述电子收集区，其包括一个势垒，用于收集电子和加快电子存储区与发光区间的电子传输速度；所述发光区，其包括若干交替生长的势阱和势垒，用于实现发光；并且，所述电子收集区的势垒高度比所述发光区的势阱高。
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