[发明专利]硅晶片的钝化层的腐蚀方法有效
| 申请号： | 201310034420.7 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103964371A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅晶片的钝化层的腐蚀方法，包括往顶部开口的容器中倒入氢氟酸溶液、将硅晶片放置于容器的开口处，使硅晶片的形成有钝化层的一面与氢氟酸溶液相对，以及在常温下保持足够腐蚀的时间，氢氟酸溶液挥发产生氟化氢气体将硅晶片的钝化层腐蚀的步骤，其中，足够腐蚀的时间为(钝化层的厚度/腐蚀速率)×(1+0.2)。该利用氢氟酸挥发产生的氟化氢气体腐蚀硅晶片的钝化层，避免了一般的湿法腐蚀中由于液体的表面张力的作用，腐蚀液难以完全浸润钝化层的表面而使得腐蚀精度较低的问题，腐蚀精度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 钝化 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：往顶部开口的容器中倒入氢氟酸溶液；将硅晶片放置于所述容器的开口处，使所述硅晶片的形成有钝化层的一面与所述氢氟酸溶液相对；及在常温下保持足够腐蚀的时间，所述氢氟酸溶液挥发产生氟化氢气体将所述硅晶片的钝化层腐蚀，所述足够腐蚀的时间为：(钝化层的厚度/腐蚀速率)×(1+0.2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310034420.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于智能马桶的喷水结构
- 下一篇：一种快速拆盖式冲厕水箱
