[发明专利]硅晶片的钝化层的腐蚀方法有效
| 申请号： | 201310034420.7 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103964371A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 钝化 腐蚀 方法 | ||
1.一种硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
往顶部开口的容器中倒入氢氟酸溶液；
将硅晶片放置于所述容器的开口处，使所述硅晶片的形成有钝化层的一面与所述氢氟酸溶液相对；及
在常温下保持足够腐蚀的时间，所述氢氟酸溶液挥发产生氟化氢气体将所述硅晶片的钝化层腐蚀，所述足够腐蚀的时间为：
(钝化层的厚度/腐蚀速率)×(1+0.2)。
2.根据权利要求1所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述容器的底部通入惰性气体。
3.根据权利要求2所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气、氩气或氦气。
4.根据权利要求2或3所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述惰性气体流量为0.01～1000sccm。
5.根据权利要求2或3所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的液面至所述硅晶片的形成有钝化层的一面的距离5～30厘米。
6.根据权利要求1所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的质量浓度为20%～49%。
7.根据权利要求1所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述倒入氢氟酸溶液的步骤、将硅晶片放置于所述容器的开口处的步骤及在常温下保持足够腐蚀的时间的步骤均在通风的环境下进行。
8.根据权利要求1所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述硅晶片封闭所述容器的开口。
9.根据权利要求1所述的硅晶片的钝化层的腐蚀方法，其特征在于，所述硅晶片的面积小于所述容器的开口的面积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310034420.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于智能马桶的喷水结构
- 下一篇：一种快速拆盖式冲厕水箱
