[发明专利]一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法

摘要

本发明公开了一种提高AlGaN材料的MOCVD生长方法。该方法采用H2腐蚀AlGaN材料的方法，获得图形化的位错坑，再在此基础上沉积SiNx作为位错掩埋层，从而提高对位错弯曲和阻挡的能力，改善AlGaN材料的晶体质量。同普通的AlGaN材料ICP刻蚀图形化生长及传统的SiNx原位掩埋技术相比，该方法工艺简单，不需要二次生长。此外该方法利用H2腐蚀对缺陷的选择性，可以形成很好的位错坑，将SiNx定位于位错坑中，可以很好地提高对位错阻挡的效率，而且可以避免AlGaN材料的三维岛状生长。

主权项

一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其步骤：步骤1. 在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层； 步骤2. 在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，生长高温AlN成核层；步骤3. 在高温 AlN本征层上，生长本征的AlGaN层；步骤4. 在本征AlGaN层上，利用H2腐蚀出一定深度的位错坑；步骤5. 在腐蚀后的AlGaN模板上进行SiNx原位掩埋；步骤6. 在沉积了SiNx小岛的AlGaN材料上继续生长1.5μm的AlGaN材料。