[发明专利]一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法无效
| 申请号： | 201310031457.4 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103165434A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 田武;张骏;鄢伟一;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/318;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 sub 腐蚀 sin 掩埋 提高 algan 材料 质量 方法 | ||
1.一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其步骤：步骤1. 在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层； 步骤2. 在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，生长高温AlN成核层；步骤3. 在高温 AlN本征层上，生长本征的AlGaN层；步骤4. 在本征AlGaN层上，利用H2腐蚀出一定深度的位错坑；步骤5. 在腐蚀后的AlGaN模板上进行SiNx原位掩埋；步骤6. 在沉积了SiNx小岛的AlGaN材料上继续生长1.5μm的AlGaN材料。
2.根据权利要求1所述一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其特征在于：所述的 AlN成核层厚度为20nm~25nm。
3.根据权利要求1所述一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其特征在于：所述的高温AlN层厚度为0.6微米~0.7微米，生长温度为1100°C，表面平均粗糙度低于0.5nm。
4.根据权利要求1所述一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其特征在于：所述的本征AlGaN，厚度为100nm~120nm，生长温度为1000°C。
5. 根据权利要求1所述一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其特征在于：所述的利用H2在AlGaN上腐蚀出一定深度的位错坑，腐蚀过程中H2流量为2500sccm，温度在5-10min内从1000°C上升到1100°C。
6.根据权利要求1所述一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其特征在于：所述的沉积SiNx掩埋层，沉积温度为950-1000°C，SiH4流量为500nmol/min，时间为3-5min。
7.根据权利要求1所述一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法，其特征在于：所述的AlGaN材料生长，其生长温度为1000°C，厚度为1.5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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