[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310031147.2 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103972087A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 贾昆鹏;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件制造方法。一种石墨烯器件的制造方法，基于侧墙的双重图形化的工艺，利用传统晶体管中制作侧墙的工艺制作硬掩膜图形，具有工艺简单、线条宽度窄、边缘平滑、与CMOS工艺兼容等优点。同时，利用先进的淀积技术，可以将石墨烯制作成宽度10nm甚至5nm以下的边缘平滑的石墨烯纳米带，以产生足够的能隙以使石墨烯器件在室温下有足够的开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，用于制造石墨烯器件，其中，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯层；在所述石墨烯层上形成第一介质层；各向异性地刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层中形成突块结构；在所述第一介质层上各向同性地沉积第二介质层；各向异性地刻蚀所述第二介质层，以使所述第二介质层仅留存于所述突块结构的侧面上，留存的所述第二介质层成为掩模侧墙；以所述掩模侧墙为掩模，各向异性地刻蚀所述第一介质层和所述石墨烯层，从而获得所需的石墨烯纳米带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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