[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310031147.2 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103972087A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 贾昆鹏;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，用于制造石墨烯器件，其中，包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成石墨烯层；
在所述石墨烯层上形成第一介质层；
各向异性地刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层中形成突块结构；
在所述第一介质层上各向同性地沉积第二介质层；
各向异性地刻蚀所述第二介质层，以使所述第二介质层仅留存于所述突块结构的侧面上，留存的所述第二介质层成为掩模侧墙；
以所述掩模侧墙为掩模，各向异性地刻蚀所述第一介质层和所述石墨烯层，从而获得所需的石墨烯纳米带。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪或氮化钛，沉积工艺为CVD或ALD，厚度为1-10nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层的层数为1～3层，所述石墨烯层采用直接CVD生长或采用物理转移方式移至所述衬底上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介质层材料与第一介质层材料不同。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在各向异性地刻蚀所述第一介质层和所述石墨烯层并获得所需的石墨烯纳米带之后，去除所述掩模侧墙和剩余的所述第一介质层。
6.一种半导体器件，包括根据权利要求1-5中任一项的方法制造的石墨烯纳米带，其特征在于包括：
衬底，位于所述衬底内的阱区；
栅极和栅介质层；
所述栅介质层将所述石墨烯纳米带与所述栅极隔离；
与所述石墨烯纳米带接触的金属接触。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述器件为背栅结构。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述器件为顶栅结构。
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