[发明专利]FinFET体接触件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310021916.0 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103227202A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 娄经雄;李介文;林文杰;曾仁洲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括用于ESD保护的位于finFET器件上的体接触件。半导体器件包括半导体鳍状件、源极/漏极区和体接触件。源极/漏极区和体接触件位于半导体鳍状件中。鳍状件的一部分在横向上位于源极/漏极区和体接触件之间。半导体鳍状件位于衬底上。本发明还提供了一种FinFET体接触件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底之上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：所述鳍状件中的第一源极/漏极区；所述鳍状件中的第一体接触件；以及所述鳍状件的第一部分，所述第一部分在横向上位于所述第一源极/漏极区和所述第一体接触件之间。
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