[发明专利]FinFET体接触件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

位于所述衬底之上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：

所述鳍状件中的第一源极/漏极区；

所述鳍状件中的第一体接触件；以及

所述鳍状件的第一部分，所述第一部分在横向上位于所述第一源极/漏极区和所述第一体接触件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分仅包括鳍状件材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍状件包含第一导电类型的掺杂物，所述第一源极/漏极区包含第二导电类型的掺杂物，所述第一体接触件包含所述第一导电类型的掺杂物。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型是p型，并且所述第二导电类型是n型。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍状件进一步包括：位于所述鳍状件上方的第一栅极结构，其中，所述第一栅极结构直接位于所述鳍状件的所述第一部分的上方。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述鳍状件进一步包括：

所述鳍状件中的第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区在与所述第一体接触件相反的方向上与所述第一源极/漏极区分横向隔开；以及

位于所述鳍状件上方的第二栅极结构，其中，所述第二栅极结构在横向上位于所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述鳍状件进一步包括：

所述鳍状件中的第三源极/漏极区，所述第三源极/漏极区在与所述第一源极/漏极区相反的方向上与所述第二源极/漏极区分横向隔开；

位于所述鳍状件上方的第三栅极结构，其中，所述第三栅极结构在横向上位于所述第二源极/漏极区和所述第三源极/漏极区之间；

所述鳍状件中的第二体接触件；

所述鳍状件的第二部分，所述第二部分在横向上位于所述第三源极/漏极区和所述第二体接触件之间；以及

位于所述鳍状件上方的第四栅极结构，其中，所述第四栅极结构直接位于所述鳍状件的第二部分的上方。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述鳍状件进一步包括：

所述鳍状件中的第一隔离区，其中，所述第一隔离区邻近所述鳍状件的所述第一部分的相对侧上的所述第一体接触件；

位于所述鳍状件上方的第五栅极结构，其中，所述第五栅极结构部分位于所述第一体接触件的上方并且部分位于所述第一隔离区的上方；

所述鳍状件中的第二隔离区，其中，所述第二隔离区邻近所述鳍状件的所述第二部分的相对侧上的所述第二体接触件；以及

位于所述鳍状件上方的第六栅极结构，其中，所述第六栅极结构部分位于所述第二体接触件的上方并且部分位于所述第二隔离区的上方。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

从所述衬底延伸的第一半导体鳍状件，其中，所述第一半导体鳍状件包括：

所述第一半导体鳍状件中的第一源极/漏极区；

所述第一半导体鳍状件中的第二源极/漏极区；

第一栅极结构，位于所述第一半导体鳍状件的顶面和侧壁上，其中，所述第一栅极结构在横向上位于所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间；

第一体接触件，位于所述第一半导体鳍状件中；以及

第二栅极结构，位于所述第一半导体鳍状件的顶面和侧壁上，其中，所述第二栅极结构在横向上位于所述第一源极/漏极区和所述第一体接触件之间。

10.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

在衬底上形成半导体鳍状件；

在所述半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成第一栅极结构；

在所述半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成第二栅极结构，其中，所述第二栅极结构在横向上与所述第一栅极结构分隔开；

在所述半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成第三栅极结构，其中，所述第三栅极结构在与所述第二栅极结构相反的方向上与所述第一栅极结构横向分隔开；

在所述半导体鳍状件中形成第一源极/漏极区，其中，所述第一源极/漏极区在横向上位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；

在所述半导体鳍状件中形成第二源极/漏极区，其中，所述第二源极/漏极区在横向上位于所述第一栅极结构和所述第三栅极结构之间；以及

在所述半导体鳍状件中形成第一体接触件，其中，所述第一体接触件在横向上与第一源极/漏极区分隔开，并且所述第二栅极结构在横向上位于所述第一源极/漏极区和所述第一体接触件之间。