[发明专利]减小功耗的MOSFET 栅极驱动器有效
| 申请号： | 201310021711.2 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103152022A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 理查德.K.威廉斯 | 申请（专利权）人： | 先进模拟科技公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于例如DC/DC变换器中功率MOSFET的栅极驱动器，其在完全接通条件与低电流条件之间切换MOSFET，而不是在MOSFET完全接通条件与完全关断条件之间切换MOSFET。由此减少了对MOSFET的栅极充电和放电所必须转移的电荷量，并且提高了MOSFET的效率。可以使用反馈电路来保证处于低电流条件下的功率MOSFET中的电流的量值是正确的。可替代地，可以使用微调处理来校正栅极驱动器供应给处于低电流条件下的功率MOSFET的栅极的电压的量值。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 功耗 mosfet 栅极 驱动器 | ||
【主权项】：
一种组合体，包含：功率MOSFET（203）；栅极驱动器（202），所述栅极驱动器（202）的输出端与所述功率MOSFET（203）的栅极端连接，所述栅极驱动器（202）包含第一输入端和第二输入端，所述第一输入端与第一电压源（Vcc）连接，所述第二输入端与第二电压源（VBias）连接；以及切换元件，在所述第一输入端和所述第二输入端之间切换所述栅极驱动器（202）的输出端，在所述第一电压源（Vcc）提供的第一电压被传递给所述栅极端时，促使所述功率MOSFET（203）处于完全接通条件，以及在所述第二电压源（VBias）提供的第二电压被传递给所述栅极端时，促使所述功率MOSFET处于低电流条件，在所述低电流条件下，所述功率MOSFET的漏极电流的大小比所述功率MOSFET在截止状态下时的漏电流的量值大至少10倍。
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