[发明专利]减小功耗的MOSFET 栅极驱动器

权利要求书

1.一种组合体，包含：

功率MOSFET（203）；

栅极驱动器（202），所述栅极驱动器（202）的输出端与所述功率MOSFET（203）的栅极端连接，所述栅极驱动器（202）包含第一输入端和第二输入端，所述第一输入端与第一电压源（V_cc）连接，所述第二输入端与第二电压源（V_Bias）连接；以及

切换元件，在所述第一输入端和所述第二输入端之间切换所述栅极驱动器（202）的输出端，在所述第一电压源（V_cc）提供的第一电压被传递给所述栅极端时，促使所述功率MOSFET（203）处于完全接通条件，以及在所述第二电压源（V_Bias）提供的第二电压被传递给所述栅极端时，促使所述功率MOSFET处于低电流条件，在所述低电流条件下，所述功率MOSFET的漏极电流的大小比所述功率MOSFET在截止状态下时的漏电流的量值大至少10倍。

2.如权利要求1所述的组合体，进一步包含与所述栅极驱动器（202）连接的缓冲器（201），以便在所述第一和第二输入端之间重复地切换所述输出端。

3.如权利要求1所述的组合体，其中，所述切换元件包含CMOS对（451，453），所述COMS对（451，453）的第一MOSFET（451）连接在所述第一输入端和所述输出端之间，所述COMS对（451，453）的第二MOSFET（453）连接在所述第二输入端和所述输出端之间。

4.如权利要求1所述的组合体，其中，所述栅极驱动器（352）进一步包含第三输入端，所述第三输入端与所述功率MOSFET（353）的源极端连接，所述切换元件能够在所述第一、第二和第三输入端之间切换所述输出端。

5.如权利要求4所述的组合体，其中，所述栅极驱动器包含：

CMOS对（451，453），所述COMS对（451，453）的第一MOSFET（451）连接在所述第一输入端和所述输出端之间，所述COMS对（451，453）的第二MOSFET（453）连接在所述第三输入端和所述输出端之间；以及

第三MOSFET（452），所述第三MOSFET（452）连接在所述第二输入端和所述输出端之间。

6.如权利要求1所述的组合体，其中，所述功率MOSFET（586）与功率电路中的负载（587）连接。

7.如权利要求6所述的组合体，进一步包含连接在所述功率电路与所述栅极驱动器（583，584）的第二端之间的反馈电路（585，588，589，590），所述反馈电路（585，588，589，590）生成用于将所述功率MOSFET（586）的低电流条件下的电流保持在目标值上的误差信号。

8.如权利要求7所述的组合体，其中，所述反馈电路（585，588，589，590）包含连接在所述功率电路中的电流传感器（590）。

9.如权利要求8所述的组合体，其中，所述反馈电路（585，588，589，590）包含放大器（588）。

10.如权利要求9所述的组合体，其中，所述第二电压源包含可变电压源（585），所述电流传感器（590）与所述放大器（588）的第一输入端连接，所述放大器（588）的第二输入端与参考电流源（589）连接，所述放大器（588）的输出与所述可变电压源连接（585）。

11.如权利要求7所述的组合体，其中，所述功率电路包括感测电阻器（615B）。

12.如权利要求11所述的组合体，其中，所述反馈电路包含放大器（618）和参考电压源（619），所述放大器（618）的第一输入端与所述感测电阻器（615B）连接，所述放大器（618）的第二输入端与所述参考电压源（619）连接，以及所述放大器（618）的输出端与所述栅极驱动器（613，614）的第二端连接。

13.如权利要求7所述的组合体，其中，所述反馈电路包含：

电流镜布置，生成镜像电流，所述镜像电流的大小与所述功率电路中的电流（I_D）的大小成比例；

感测电阻器（631），与所述电流镜布置连接，使得所述镜像电流流过所述感测电阻器（631）。