[发明专利]离子检测装置有效
申请号: | 201310021535.2 | 申请日: | 2013-01-21 |
公开(公告)号: | CN103227097B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 小林浩之;须山本比吕;小谷政弘;大村孝幸 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01J49/26 | 分类号: | H01J49/26;H01J49/02;G01T1/28 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本,*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够谋求到检测精度的提高以及结构的单纯化的离子检测装置。检测正离子的离子检测装置(1A)具备:设置有使正离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、被配置于腔室(2)内并且被施加负电位的转换倍增极(9)、被配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(9)相对并且入射从转换倍增极(9)释放出来的二次电子的电子入射面(30a)的雪崩光电二极管(30);电子入射面(30a)在被接地的腔室(2)中相对于支撑雪崩光电二极管(30)的定位部(14)而言位于转换倍增极(9)一侧。 | ||
搜索关键词: | 离子 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种离子检测装置,其特征在于:是检测正离子的离子检测装置,具备:腔室,设置有使所述正离子进入的离子进入口;转换倍增极,被配置于所述腔室内并且被施加负电位;以及半导体电子检测元件,被配置于所述腔室内并具有与所述转换倍增极相对并且入射从所述转换倍增极释放出的二次电子的电子入射面,所述电子入射面在被接地的所述腔室中相对于支撑所述半导体电子检测元件的部分而言位于所述转换倍增极一侧,支撑所述半导体电子检测元件的部分包含于被接地的所述腔室,支撑所述半导体电子检测元件的部分相对于所述转换倍增极具有用于使二次电子加速的接地电位。
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