[发明专利]离子检测装置有效

专利信息
申请号: 201310021535.2 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN103227097B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 小林浩之;须山本比吕;小谷政弘;大村孝幸 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01J49/26 分类号: H01J49/26;H01J49/02;G01T1/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本,*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种能够谋求到检测精度的提高以及结构的单纯化的离子检测装置。检测正离子的离子检测装置(1A)具备:设置有使正离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、被配置于腔室(2)内并且被施加负电位的转换倍增极(9)、被配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(9)相对并且入射从转换倍增极(9)释放出来的二次电子的电子入射面(30a)的雪崩光电二极管(30);电子入射面(30a)在被接地的腔室(2)中相对于支撑雪崩光电二极管(30)的定位部(14)而言位于转换倍增极(9)一侧。
搜索关键词: 离子 检测 装置
【主权项】:
一种离子检测装置,其特征在于:是检测正离子的离子检测装置,具备:腔室,设置有使所述正离子进入的离子进入口;转换倍增极,被配置于所述腔室内并且被施加负电位;以及半导体电子检测元件,被配置于所述腔室内并具有与所述转换倍增极相对并且入射从所述转换倍增极释放出的二次电子的电子入射面,所述电子入射面在被接地的所述腔室中相对于支撑所述半导体电子检测元件的部分而言位于所述转换倍增极一侧,支撑所述半导体电子检测元件的部分包含于被接地的所述腔室,支撑所述半导体电子检测元件的部分相对于所述转换倍增极具有用于使二次电子加速的接地电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310021535.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top