[发明专利]离子检测装置

权利要求书

1.一种离子检测装置，其特征在于：

是检测正离子的离子检测装置，

具备：

框体，设置有使所述正离子进入的离子进入口；

转换倍增极，被配置于所述框体内并且被施加负电位；以及

半导体电子检测元件，被配置于所述框体内并具有与所述转换倍增极相对并且入射从所述转换倍增极释放出的二次电子的电子入射面，

所述电子入射面在被接地的所述框体中相对于支撑所述半导体电子检测元件的部分而言位于所述转换倍增极一侧。

2.如权利要求1所述的离子检测装置，其特征在于：

进一步具备覆盖电极，其被配置于所述框体内并具有从所述转换倍增极行进到所述半导体电子检测元件的所述二次电子所通过的电子通过口，

所述半导体电子检测元件为雪崩光电二极管。

3.如权利要求2所述的离子检测装置，其特征在于：

在从所述转换倍增极与所述电子入射面相对的方向进行观察的情况下，所述电子入射面包含所述电子通过口。

4.如权利要求2或者3所述的离子检测装置，其特征在于：

所述覆盖电极是容纳所述半导体电子检测元件的外壳的一部分。

5.如权利要求2～4中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于：

所述覆盖电极与被接地的所述框体电连接。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于：

在所述离子进入口张设有被施加负电位的第1网状物。

7.如权利要求6所述的离子检测装置，其特征在于：

在所述离子进入口以相对于所述第1网状物位于外侧的形式张设有第2网状物，

在所述第2网状物上以绝对值小于被施加于所述第1网状物的电位的形式施加正电位。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于：

成为与所述框体相同电位的一对电极构件被配置为，在所述框体内相对于所述转换倍增极以及所述电子入射面而位于所述离子进入口一侧，并且在从所述离子进入口一侧进行观察的情况下在与所述转换倍增极和所述电子入射面相对的方向大致相垂直的方向上夹持所述离子进入口。

9.一种离子检测装置，其特征在于：

是检测正离子以及负离子的离子检测装置，

具备：

框体，设置有使所述正离子以及所述负离子进入的离子进入口；

转换倍增极，被配置于所述框体内并且被施加负电位；

半导体电子检测元件，被配置于所述框体内并与具有转换倍增极相对并且入射从所述转换倍增极释放出的二次电子的电子入射面；以及

覆盖电极，被配置于所述框体内并具有从所述转换倍增极行进到所述半导体电子检测元件的所述二次电子所通过的电子通过口；

至少在所述覆盖电极上施加正电位，

所述电子入射面在被接地的所述框体中相对于支撑所述半导体电子检测元件的部分而言位于所述转换倍增极一侧。

10.如权利要求9所述的离子检测装置，其特征在于：

在所述覆盖电极以及所述电子入射面上施加正电位，

所述半导体电子检测元件是雪崩光电二极管。

11.如权利要求9或者10所述的离子检测装置，其特征在于：

所述转换倍增极以及所述电子入射面相对于所述离子进入口以大致垂直于连结所述转换倍增极和所述电子入射面的基准线的规定的面包含所述离子进入口的中心线的形式进行定位，

以由所述转换倍增极形成的负的等电位面和至少由所述覆盖电极形成的正的等电位面关于所述规定的面成为大致对称的形式，将负电位施加于所述转换倍增极并且将正电位至少施加于所述覆盖电极。

12.如权利要求9～11中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于：

在从所述转换倍增极与所述电子入射面相对的方向进行观察的情况下，所述电子入射面包含所述电子通过口。

13.如权利要求9～12中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于：

所述覆盖电极是容纳所述半导体电子检测元件的外壳的一部分。

14.如权利要求9～13中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于：

所述覆盖电极与被接地的所述框体电绝缘。