[发明专利]成膜装置有效
| 申请号: | 201310019951.9 | 申请日: | 2013-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN103215567A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
| 发明(设计)人: | 加藤寿;中坪敏行;三浦繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种成膜装置,其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜,包括旋转台、多个处理气体供给部、分离气体供给部以及排气口。处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为从旋转台的中央部朝向周缘部延伸的气体喷嘴,在气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧,沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板,该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动,为了抑制位于整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧,整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜,其中,该成膜装置包括:旋转台,其设于上述真空容器内,在该旋转台的上表面上形成有用于载置基板的基板载置区域,并且,该旋转台用于使该基板载置区域公转;多个处理气体供给部,其用于向在该旋转台的周向上彼此分开的处理区域分别供给互不相同的处理气体;分离气体供给部,其为了使各处理区域的气氛分离开而向形成于各处理区域之间的分离区域供给分离气体;以及排气口,其用于对上述真空容器内的气氛气体进行真空排气,上述处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为气体喷嘴,该气体喷嘴从上述旋转台的中央部朝向周缘部延伸,并且该气体喷嘴的用于朝向上述旋转台喷射处理气体的气体喷射口沿着该处理气体供给部的长度方向形成,在上述气体喷嘴的靠上述旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧,沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板,该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动,在上述气体喷嘴和上述整流板的上方侧形成有供分离气体流通的流通空间,为了抑制位于上述整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧,上述整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





