[发明专利]一种半导体加工方法以及一种半导体结构在审
| 申请号： | 201310019387.0 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103943493A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工方法和一种半导体结构，所述方法包括：采用第一刻蚀方法在衬底上方的第一隔离层上刻蚀出第一结构，所述第一结构为至少一贯穿所述第一隔离层的通孔；采用第二刻蚀方法在所述具有第一结构的第一隔离层的隔离下，对所述衬底进行刻蚀，得到具有第二结构的衬底，所述第二结构为至少一具有开口的袋状中空凹坑；采用第一剥除法将所述第一隔离层从所述具有所述第二结构的衬底上剥除；采用第一氧化法对所述具有第二结构的衬底进行氧化，使所述第二结构形成至少一封闭空腔。采用本发明所提供的方案，使半导体器件的寄生电容大幅减小，提高了所述半导体器件的性能，尤其是在高频电路中应用时的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 加工 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体加工方法，应用于半导体加工设备中，其特征在于，所述方法包括以下步骤：采用第一刻蚀方法在衬底上方的第一隔离层上刻蚀出第一结构，所述第一结构为至少一贯穿所述第一隔离层的通孔，使所述衬底在对应第一结构的位置不被所述第一隔离层覆盖；采用第二刻蚀方法，在所述具有第一结构的第一隔离层的隔离下，对所述衬底进行刻蚀，得到具有第二结构的衬底，所述第二结构为至少一具有开口的袋状中空凹坑；采用第一剥除法将所述第一隔离层从所述具有所述第二结构的衬底上剥除；采用第一氧化法对所述具有第二结构的衬底进行氧化，通过所述第一氧化法使所述第二结构形成至少一封闭空腔，所述封闭空腔位于衬底上形成的一氧化层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
