[发明专利]一种半导体加工方法以及一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体加工方法，应用于半导体加工设备中，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

采用第一刻蚀方法在衬底上方的第一隔离层上刻蚀出第一结构，所述第一结构为至少一贯穿所述第一隔离层的通孔，使所述衬底在对应第一结构的位置不被所述第一隔离层覆盖；

采用第二刻蚀方法，在所述具有第一结构的第一隔离层的隔离下，对所述衬底进行刻蚀，得到具有第二结构的衬底，所述第二结构为至少一具有开口的袋状中空凹坑；

采用第一剥除法将所述第一隔离层从所述具有所述第二结构的衬底上剥除；

采用第一氧化法对所述具有第二结构的衬底进行氧化，通过所述第一氧化法使所述第二结构形成至少一封闭空腔，所述封闭空腔位于衬底上形成的一氧化层中。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层上还具有光刻胶，在采用第一刻蚀方法在衬底上方的第一隔离层上刻蚀出第一结构之前，还包括：通过光刻的方法对所述光刻胶进行选择性照射，并在经过显影液处理后，使所述光刻胶上对应所述第一结构的位置溶解。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层为硬掩膜，所述第一刻蚀方法为各向异性刻蚀且包括：

通过刻蚀所述硬掩膜上与所述光刻胶被照射区域对应的位置，形成所述第一结构。

4.如权利要求2或3任一权项所述的方法，其特征在于，在采用第二刻蚀方法之前，还包括：采用第二剥除法剥除所述光刻胶。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀方法为各向同性干法刻蚀，采用第二刻蚀方法，在所述具有第一结构的第一隔离层的隔离下，对所述衬底进行刻蚀，得到具有第二结构的衬底包括：

在所述第一隔离层的隔离下，以各向同性的干法刻蚀所述衬底，得到具有至少一所述袋状中空凹坑的衬底。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述袋状中空凹坑为椭圆状，具有第一长度的最大内径，第二长度的开口处内径和第三长度的深度，且所述第一长度大于所述第二长度并小于所述第三长度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一剥除法为湿法硬掩膜剥除，针对所述硬掩膜的材料，采用对应的剥除液，将所述硬掩膜从所述衬底上剥除。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化法为湿法氧化，通过氧化物的生长使所述袋状凹坑的开口处被氧化物封闭，形成所述封闭空腔。

9.一种半导体结构，应用于半导体器件中，其特征在于，所述半导体结构包括：

衬底；

厚氧化层，位于所述衬底上方，所述厚氧化层中具有至少一封闭空腔，所述封闭空腔中封存有空气，用于降低所述厚氧化层的平均介电常数。