[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法、液晶显示器有效
申请号: | 201310018504.1 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN103227147A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 孔祥春;曹占峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及制造方法、液晶显示器。该方法包括在第一次构图工艺期间一次形成栅极扫描线和栅极、在与栅极扫描线相交的位置处断裂的数据信号线、公共电极和遮光条;在第二次构图工艺期间,形成用于对断裂的数据信号线进行连接的过孔和在栅极扫描线上形成沟道位置;在第三次构图工艺期间,形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极,其中数据信号线连接线通过过孔将断裂的数据信号线连接起来,以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置,其源极位于数据信号连接线上,其漏极与像素电极为一整体。本发明采用三次掩膜工艺减小了生产周期,降低成本,同时改善了TFT-LCD阵列基板的性能。 | ||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 液晶显示器 | ||
【主权项】:
一种制造TFT‑LCD阵列基板的方法,包括步骤:通过第一次构图工艺,在基板上形成栅极扫描线和栅极、数据信号线和公共电极,其中数据信号线在与栅极扫描线相交的位置断裂;依次形成绝缘层、有源层和欧姆接触层,然后通过第二次构图工艺,形成用于连接在与栅极扫描线相交的位置断裂的数据信号线的数据线连接过孔以及在栅极扫描线上通过刻蚀掉有源层上的欧姆接触层、漏出下面的有源层以形成沟道;以及形成透明导电薄膜,通过第三次构图工艺,形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极,其中数据信号线连接线通过数据信号线连接过孔将断裂的数据信号线连接起来,以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置,其源极位于数据信号连接线上,其漏极与像素电极为一整体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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