[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法、液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，具体地讲，涉及TFT-LCD阵列基板制造方法及TFT-LCD阵列基板、和包括TFT-LCD阵列基板的液晶显示器。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。TFT-LCD中的薄膜晶体管阵列基板（TFT-LCD阵列基板）控制液晶显示器的工作状态，具有重要的作用。 

如图1所示，当前TFT-LCD阵列基板包括栅极扫描线2′、数据线3′和像素电极12′，栅极扫描线2′和数据线3′限定了像素区域，并在交叉处在栅极扫描线2′和数据线3′所限定的区域内部形成TFT，TFT包括与栅极扫描线2′连接的栅电极4′、TFT沟道15′、源极5′和漏极6′，其中源极5′与数据线3′连接，而漏极6′通过接触孔16′与像素电极12′连接。 

图2为图1所示的当前TFT-LCD阵列基板的L-L向截面图。当前TFT-LCD阵列基板的制造方法使用四次掩膜板的4mask工艺，其具体包括：第一次构图工艺，沉积金属层，形成栅线、栅电极4′、公共电极线17′；第二次构图工艺，沉积绝缘层8′、半导体层9′和欧姆接触层10′、第二层金属，并且经过掩膜操作形成源极5′、漏极6′和沟道15′；第三次构图工艺，沉积钝化层11′，并且再经过掩膜操作形成接触孔16′；第四次构图工艺，形成像素电极12′。 

采用四次掩膜工艺实现，造成了材料利用不充分，生产周期较 长，成本较高。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种TFT-LCD阵列基板制造方法及TFT-LCD阵列基板、和液晶显示器。本发明针对现有技术中采用4mask工艺制作TFT-LCD阵列基板过程中生产周期与成本较高的问题提出了通过三次构图工艺（3mask工艺）制作TFT-LCD阵列基板的方法。 

为实现上述目的，本发明提供了一种制造TFT-LCD阵列基板的方法，包括步骤： 

通过第一次构图工艺，在基板上形成栅极扫描线和栅极、数据信号线和公共电极，其中数据信号线在与栅极扫描线相交的位置断裂； 

依次形成绝缘层、有源层和欧姆接触层，然后通过第二次构图工艺，形成用于连接在与栅极扫描线相交的位置断裂的数据信号线的数据线连接过孔以及在栅极扫描线上通过刻蚀掉有源层上的欧姆接触层、漏出下面的有源层以形成沟道；以及 

形成透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极，其中数据信号线连接线通过数据信号线连接过孔将断裂的数据信号线连接起来，以及TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置，其源极位于数据信号连接线上，其漏极与像素电极为一整体。 

进一步地，上述的方法中，还包括在第一次构图工艺期间在基板上形成遮光条的步骤，所述遮光条（6）为不闭合的半包围结构、与公共电极线形成一个闭合结构，该闭合结构形成在要形成的像素电极的周边。 

上述的方法，其中，所述第二次构图工艺中采用的掩模板为带有狭缝的半色调或灰色调掩模板。 

上述的方法中，其中形成栅极扫描线、数据信号线和公共电极的金属薄膜材料选自钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜中的 一种或其任意组合。 

上述的方法中，其中形成遮光条的金属薄膜材料选自钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜中的一种或其任意组合； 

其中像素电极、数据信号线连接线、源极和漏极采用同一种材料形成。 

上述的方法中，其中所述材料是氧化铟锡。 

上述的方法中，其中所述有源层的厚度为1000埃至7000埃；其中所述欧姆接触层的厚度为500埃至6000埃。 

本发明还提供了一种根据上述方法制造的TFT-LCD阵列基板，包括：形成在基板上的栅极扫描线和栅极、数据信号线、像素电极、数据信号线连接过孔、数据信号线连接线、公共电极线和TFT，其中， 

所述数据信号线在与所述栅极扫描线相交的位置断裂，经由在断开的数据信号线的两端上所形成的数据信号线连接过孔由数据信号线连接线连接；以及 

所述TFT处于栅极扫描线上与数据信号线相交的位置，其源极位于数据信号连接线上，其漏极与像素电极为一整体并且其沟道位置处于数据信号线上。 

本发明还提供了一种包括上述TFT-LCD阵列基板的液晶显示器。