[发明专利]基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法无效
| 申请号： | 201310018371.8 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103074627A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;张培文;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，该方法包括：在耐高温衬底上生长一层Zn；将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液中，溶液中的Cu离子被置换出来进而在Zn表面析出Cu纳米颗粒；对表面附着有Cu纳米颗粒的Zn进行热氧化处理，将Cu纳米颗粒氧化为CuO纳米颗粒，得到掺杂CuO纳米颗粒的ZnO气体敏感膜。本发明的制备方法具有成膜质量好，制备过程简单，成本低，易于控制等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 置换反应 氧化 方法 制备 复合 半导体 敏感 | ||
【主权项】：
一种基于置换反应‑热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，该方法包括：在耐高温衬底上生长一层Zn；将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液中，溶液中的Cu离子被置换出来进而在Zn表面析出Cu纳米颗粒；以及对表面附着有Cu纳米颗粒的Zn进行热氧化处理，将Cu纳米颗粒氧化为CuO纳米颗粒，得到掺杂CuO纳米颗粒的ZnO气体敏感膜。
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