[发明专利]基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法无效
| 申请号： | 201310018371.8 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103074627A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;张培文;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 置换反应 氧化 方法 制备 复合 半导体 敏感 | ||
1.一种基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，该方法包括：
在耐高温衬底上生长一层Zn；
将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液中，溶液中的Cu离子被置换出来进而在Zn表面析出Cu纳米颗粒；以及
对表面附着有Cu纳米颗粒的Zn进行热氧化处理，将Cu纳米颗粒氧化为CuO纳米颗粒，得到掺杂CuO纳米颗粒的ZnO气体敏感膜。
2.根据权利要求1所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述在耐高温衬底上生长一层Zn的步骤中，是采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在耐高温衬底上生长一层Zn。
3.根据权利要求1或2所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述耐高温衬底是硅、石英、氧化铝或陶瓷。
4.根据权利要求1或2所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述Zn的厚度在10nm至5000nm之间。
5.根据权利要求1所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液的步骤中，Cu的可溶性盐离子溶液为Cu(NO3)2、CuCl2、CuSO4、Cu(NO3)2或Cu(CH3COO)2。
6.根据权利要求1所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液的步骤中，Cu的可溶性盐离子溶液的摩尔浓度为10-5M-10-1M。
7.根据权利要求1所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液的步骤中，浸入时间为30秒至5小时。
8.根据权利要求1所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述对表面附着有Cu纳米颗粒的Zn进行热氧化处理的步骤中，热氧化处理的工艺为：氧化炉的温度为400℃-950℃，时间为3小时-12小时。
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